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Aperçu ProduitsTransistor PNP NPN

Bâti bipolaire SOT-23 de surface du transistor BC847A BC847C 45V 100mA de BC847B Bjt Npn Pnp

Bâti bipolaire SOT-23 de surface du transistor BC847A BC847C 45V 100mA de BC847B Bjt Npn Pnp

BC847B Bipolar Bjt Npn Pnp Transistor BC847A BC847C 45V 100mA Surface Mount SOT-23
BC847B Bipolar Bjt Npn Pnp Transistor BC847A BC847C 45V 100mA Surface Mount SOT-23 BC847B Bipolar Bjt Npn Pnp Transistor BC847A BC847C 45V 100mA Surface Mount SOT-23

Image Grand :  Bâti bipolaire SOT-23 de surface du transistor BC847A BC847C 45V 100mA de BC847B Bjt Npn Pnp meilleur prix

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Malaisie/CHINE
Nom de marque: NXP/LRC/Thinkchip
Numéro de modèle: BC847B
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 100PCS
Prix: negotiable
Détails d'emballage: La bande et la bobine (TR)/ont coupé la bande (CT)
Délai de livraison: 1-2 jours de travail
Conditions de paiement: T/T, Western Union, paypal, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: 9 900 000 PCs/hebdomadaires
Description de produit détaillée
Actuel: 100mA Nom: Transistor à jonction bipolaire de NPN
Saturation de Vce: 600mV @ 5mA, 100mA tension: 45V
Puissance - maximum: 250mW Fréquence - transition: 100MHz
Surligner:

transistor de npn de smd

,

transistors de puissance de npn de silicium

 

Bâti bipolaire SOT-23-3 de surface du transistor NPN 45V 100mA 100MHz 250mW de BC847B (BJT)

 

Description bipolaire du transistor (BJT)

 

Il y a deux types de BJT : npn et pnp. Le type de npn se compose de deux n-régions séparées par une p-région. Le type de pnp se compose de deux p-régions séparées par une n-région. Le transistor à jonction bipolaire (BJT) est un dispositif de semi-conducteur construit avec trois régions de semi-conducteur enduites (base, collecteur et émetteur) séparées par deux jonctions de PN. La jonction de PN entre la base et l'émetteur a une tension (V0) de barrière d'environ 0,6 V, qui est un paramètre important d'un BJT. À la différence du transistor à effet de champ (FET), en lequel le courant est produit seulement par un type de porteur de charge (des électrons ou des trous), dans BJT, courant est produit par les deux types de porteurs de charge (des électrons et des trous), par conséquent le nom bipolaire.

 

 

Spécifications de BC847B

 

Fabricant NXP/LRC/ThinkChip
Série -
Empaquetage  Coupez la bande (CT) 
Pièce le statut Obsolète
Type de transistor NPN
Actuel - collecteur (IC) (maximum) 100mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) 45V
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC 600mV @ 5mA, 100mA
Actuel - coupure de collecteur (maximum) 15nA (ICBO)
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce 200 @ 2mA, 5V
Puissance - maximum 250mW
Fréquence - transition 100MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de support Bâti extérieur
Paquet/cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquet de dispositif de fournisseur SOT-23-3
Numéro de la pièce bas BC847B

 

 

Service

 

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